特許
J-GLOBAL ID：200903017609617573

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者：
黒田 正行

黒田 正行 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-060848
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227014
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】金属・半導体界面での障壁高さを低減してコンタクト抵抗を低減し、これにより寄生抵抗の小さい窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】GaN層301、素子分離層302、オーミック電極303、ゲート電極304、n型Al0.25Ga0.75N層305、サファイア基板306、及びバッファ層307を備え、n型Al0.25Ga0.75N層305は、(0 0 0 1)面を主面とし、表面に凹部が市松状に配置され、オーミック電極303は、n型Al0.25Ga0.75N層305の凹部の側面と接し、凹部の側面は、(1 1 -2 0)面あるいは(1 -1 0 0)面等の無極性面である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層と、 前記窒化物半導体層の側面と接するオーミック電極とを備え、 前記側面は、無極性面である ことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B
Fターム (31件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR15 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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