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J-GLOBAL ID：201902223874272614   整理番号：19A2620205

窒素プラズマを用いたGaN低ダメージエッチングの検討

著者 (5件)： 三浦克之 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-1  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに]従来のGaN系半導体の加工にはRIE(Reactive Ion Etching)が用いられているが、基板にエネルギーの大きなプラズマを照射することでエッチングを行うため、GaN表面へのダメージが懸念される。特にゲートリセス部分の...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  窒素 ,  *プラズマエッチング ,  プラズマ ,  *照射損傷 ,  プラズマ曝露 ,  RIE【エッチング】 ,  ゲート【半導体】 ,  表面改質 ,  微細加工 ,  半導体プロセス ,  電気的性質 ,  物理吸着 ,  原子層 ,  プラズマ損傷
準シソーラス用語： プラズマダメージ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素プラズマ ,  GaN ,  ダメージ ,  エッチング