特許
J-GLOBAL ID：202003014996795807
高耐圧ショットキーバリアダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-058519
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178250
特許番号：特許第6758569号
出願日： 2015年03月20日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のIV族元素及び濃度5×1016cm-3以下のClを含む第1のGa2O3系単結晶からなり、理想係数が1.2未満となる、実効ドナー濃度が1×1013以上かつ2.0×1016cm-3以下である第1の層と、
第2のIV族元素を含む第2のGa2O3系単結晶からなり、前記第1の層よりも実効ドナー濃度が高い、前記第1の層に積層された第2の層と、
前記第1の層上に形成されたアノード電極と、
前記第2の層上に形成されたカソード電極と、
を有する、
高耐圧ショットキーバリアダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
, C30B 29/16 ( 200 6.01)
, H01L 29/24 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 D
, H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 P
, C23C 16/40
, C30B 29/16
, H01L 29/24
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 P
