文献

J-GLOBAL ID：202102237516025414   整理番号：21A1973083

Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開 高速電界印加時のドメイン構造変化を利用した高性能PZT薄膜の開発

Development of High-performance PZT Thin Films Utilizing Ferroelastic Domain Switching Induced by Applying a High-speed Electric Field

著者 (3件)： 江原祥隆 (National Defense Acad.) ,  清水荘雄 (National Inst. Materials Sci.) ,  舟窪浩 (Tokyo Inst. Technol.)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 56  号： 7  ページ： 459-462  発行年： 2021年07月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・大きな圧電特性を示すPb(Zr,Ti)O₃(PZT)薄膜のドメイン構造を制御し,電界を印加した場合のドメイン構造の変化と圧電特性について解説。
・PZTの圧電特性として,電界印加時の結晶格子の変形(Intrinsic効果)と強弾性ドメイン又は分極軸の回転(Extrinsic効果)の寄与を説明。
・放射光XRD測定によるPZT圧電体薄膜の高速電界印加中のドメイン構造の観察結果を提示。
・新規材料の設計ではExtrinsic効果の積極的導入が圧電特性を高めるうえで重要であり,基板の拘束効果をドメインのスイッチバックの推進機構として活用できると説明。

シソーラス用語： *圧電気 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  薄膜 ,  *分域構造 ,  電場 ,  結晶格子 ,  格子歪 ,  強弾性 ,  誘電分極 ,  高速度 ,  拘束 ,  基板 ,  回転 ,  ドメイン構造
準シソーラス用語： 圧電薄膜

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

引用文献 (12件)：

• J. Rödel, K. G. Webber, R. Dittmer, W. Jo, M. Kimura and D. Damjanovic, J. Eur. Ceram. Soc., 35, 1659-1681 (2015).
• J. Shieh, J. H. Yeh, Y. C. Shu and J. H. Yen, Appl. Phys. Lett., 91, 062901 (2007).
• X. RenLarge, electric-field-induced strain in ferroelectric crystals by point-defect-mediated reversible domain switching, Nat. Mater., 3, 91-94 (2004).
• V. Nagarajan, A. Roytburd, A. Stanishevsky et al., Nat Mater., 2, 43-47 (2003).
• D.-J. Kim, J.-P. Maria, A. I. Kingon and S. K. Streiffer, J. Appl. Phys., 93, 5568 (2003).

タイトルに関連する用語 (9件)： 誘電体材料 ,  研究 ,  展開 ,  電界印加 ,  ドメイン構造 ,  高性能 ,  PZT ,  薄膜 ,  開発