特許
J-GLOBAL ID：200903004396824028

光検出器

発明者：
深野 秀樹

深野 秀樹 について

, 
満原 学

満原 学 について

, 
佐藤 具就

佐藤 具就 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-297842
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124010
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】信頼性が高く、暗電流が小さく、かつ、高感度な光検出器を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成されたワイドギャップのエミッタ、ナロウギャップのベース及びコレクタよりなるヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、能動層は第一導電形の前記エミッタ、第二導電形の前記ベース、第二導電形の前記コレクタ及び第一導電形のサブコレクタよりなり、光吸収層は前記ベース及び前記コレクタのバンドギャップより小さなバンドギャップよりなる単一又は多重の量子井戸層により構成され、該量子井戸層は前記コレクタ内に配置した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたワイドギャップのエミッタ、ナロウギャップのベース及びコレクタよりなるヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、 能動層は第一導電形の前記エミッタ、第二導電形の前記ベース、第二導電形の前記コレクタ及び第一導電形のサブコレクタよりなり、 光吸収層は前記ベース及び前記コレクタのバンドギャップより小さなバンドギャップよりなる単一又は多重の量子井戸層により構成され、 該量子井戸層は前記コレクタ内に配置される ことを特徴とする光検出器。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (6件)：
5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049NB07 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 特開昭62-190780
  • 受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-170126   出願人：ソニー株式会社
  • MSM型受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-356786   出願人：古河電気工業株式会社
全件表示
審査官引用 (10件)
  • 特開平4-237135
  • 特開昭62-190780
  • 特開昭62-190780
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM