半導体デバイスの故障診断方法と装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：堀田実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202019
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024774
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】チップ(半導体デバイス)にバイアス電圧を印加することなく、無バイアス下で故障診断を行うことができる半導体デバイスの故障診断方法と装置を提供する。【解決手段】無バイアス状態で保持した半導体デバイス1に所定の波長を有するパルスレーザ光2を2次元的に走査して照射する照射装置12、14と、レーザ光照射位置から放射された電磁波3を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換装置18と、電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断装置20とを備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

無バイアス状態で保持した半導体デバイスに所定の波長を有するパルスレーザ光を2次元的に走査して照射する照射工程と、レーザ光照射位置から放射された電磁波を検出して、電磁波の電場振幅の時間波形に対応した時間的に変化する電圧信号に変換する検出・変換工程と、前記電圧信号から半導体デバイス内の電界分布を検出しその故障診断を行う故障診断工程と、を有する、ことを特徴とする半導体デバイスの故障診断方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01R 31/302

FI (2件)：

H01L21/66 C , G01R31/28 L

Fターム (7件)：

2G132AA00 , 2G132AD15 , 2G132AF14 , 2G132AL12 , 4M106BA05 , 4M106DH16 , 4M106DH32

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置及びその評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289690 出願人：松下電工株式会社
非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081310 出願人：日本電気株式会社
特開昭56-147444

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審査官引用 (7件)

非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-081310 出願人：日本電気株式会社
特開昭56-147444
特開昭56-147444

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引用文献：

出願人引用 (1件)

28p-YF-8レーザーテラヘルツ放射顕微鏡,30p-N-4テラヘルツエミッション顕微鏡によるMOS

審査官引用 (1件)

28p-YF-8レーザーテラヘルツ放射顕微鏡,30p-N-4テラヘルツエミッション顕微鏡によるMOS

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