特許

J-GLOBAL ID：200903048050858225

半導体光増幅器

発明者： 満原 学 ,  佐藤 具就 ,  柴田 泰夫 ,  深野 秀樹 ,  藤澤 剛 ,  硴塚 孝明 ,  近藤 康洋
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-039582
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200195
出願日： 2008年02月21日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】長波長側の波長帯域であっても、偏波依存性を抑制しながら大きな利得を得ることができる半導体光増幅器を提供する。【解決手段】InPからなる基板11上に電流注入による光増幅機能を有する活性層14を備えた半導体光増幅器10において、活性層14が、InGaAsSbを含有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

InPからなる基板上に電流注入による光増幅機能を有する活性層を備えた半導体光増幅器において、 前記活性層が、InGaAsSbを含有している ことを特徴とする半導体光増幅器。

IPC (1件)：

H01S 5/323

FI (1件)：

H01S5/323

Fターム (12件)：

5F173AA26 ,  5F173AF15 ,  5F173AH30 ,  5F173AL03 ,  5F173AP10 ,  5F173AP16 ,  5F173AP32 ,  5F173AP82 ,  5F173AR14 ,  5F173AR45 ,  5F173AS01 ,  5F173MA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 歪量子井戸構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-090872   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体量子ドット構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-045172   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-287273   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 歪量子井戸構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-090872   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体量子ドット構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-045172   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-287273   出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

出願人引用 (4件)

• Influence of Buried Structure on Polarization Sensitivity in Strained Bulk Semiconductor Optical Amp
• High performance 1.55um polarisation-insensitive semiconductor optical amplifier based on low-tensil
• GaInAsSb/InP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
• 2μm帯レーザを目的としたInP基板上のInGaAsSb系量子井戸構造のMBE成長と評価

審査官引用 (2件)

• Influence of Buried Structure on Polarization Sensitivity in Strained Bulk Semiconductor Optical Amp
• High performance 1.55um polarisation-insensitive semiconductor optical amplifier based on low-tensil