特許
J-GLOBAL ID：201703008549522792
SiC単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185975
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043369
特許番号：特許第6069758号
出願日： 2012年08月26日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC種結晶の(0001)面に、SiC単結晶からなり高さ70nmを超えるマクロステップを形成し、第2の種結晶を得るマクロステップ形成工程と、
ケイ素(Si)および炭素(C)を含む反応雰囲気下で前記第2の種結晶の(0001)面にSiC単結晶を結晶成長させ、前記第2の種結晶における貫通らせん転位上に、複数の前記マクロステップを進展させる結晶成長工程と、を備え、
前記結晶成長工程において、
前記マクロステップは、前記第2の種結晶の(0001)結晶成長面上に250個/cm以上の線密度で1mm以上の長さにわたって存在する、SiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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