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研究者
J-GLOBAL ID:200901009271839630
更新日: 2024年12月18日
土居 功年
ドイ アツトシ | Doi Atsutoshi
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所属機関・部署:
近畿大学 理工学部 電気電子工学科
近畿大学 理工学部 電気電子工学科 について
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職名:
教授
研究分野 (2件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (2件):
半導体
, Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (4件):
シリコンSOI構造に関する研究
アモルファスシリコンの結晶化に関する研究
Study on Silicon SOI Structures
Study on Crystallization of Amorphous Silicon
MISC (72件):
Atsutoshi Doi. Fabrication of uniform poly-Si thin film on glass substrate by AIC. Thin Solid Films. 2004. 451-452. 485-488
A Doi. Fabrication of uniform poly-Si thin film on glass substrate by AlC. THIN SOLID FILMS. 2004. 451. 485-488
Optical Constants of Annealed a-Si:H from Transmittance at Normal Incidence. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002. 692, 435-440
Internal Stress and Optical Degradation in a-Si : H Deposited on Glass Substrates. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. 507. 487-491
嘉悦 勲, 内田 熊男, 上田 真司, 須谷 康一, 土居 功年. 半導体チップを担体とする薬物の放出制御. Drug Delivery System. 1996. 11. 5. 317-321
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書籍 (6件):
Optical Constants of Annealed a-Si:H from Transmittance at Normal Incidence
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002
Internal Stress and Optical Degradation in a-Si:H Deposited on Glass Substrates
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1999
Removable External Seeding for Solid Phase Epitaxy of Amorphous Silicon on Glass Substrates
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992
Stepwise Monolayer Growth of GaAs by Pulsed Laser Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1987
Laser MOCVD Crystal Growth in GaAs
Extended Abstracts of the 17th Conf. on Solid Stat Devices and Materials, Tokyo 1985
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Works (6件):
3次元デバイスに応用するシリコン単結晶化の研究
1988 - 1994
Crystallization of a-Si for 3D devices
1988 - 1994
フォトセンサの開発
1988 - 1993
Silicon photosenor
1988 - 1993
ガラス基板上薄膜シリコン結晶化の研究
1988 - 1989
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学歴 (4件):
- 1970 大阪大学 基礎工学研究科 電気分野
- 1970 大阪大学
- 1968 大阪大学 基礎工学部
- 1968 大阪大学
学位 (1件):
博士(工学)
委員歴 (3件):
1995 - 1996 レ-ザ-学会 総務委員長
1993 - 1996 応用物理学会 関西支部 評議員
1990 - 1991 電気学会 関西支部 評議員
所属学会 (4件):
電子情報通信学会
, レ-ザ-学会
, 電気学会
, 応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
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の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
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