東脇正高

ヒガシワキマサタカ | HIGASHIWAKI Masataka

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www2.nict.go.jp/green/

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , ナノマイクロシステム , ナノ材料科学

研究キーワード (4件)：酸化ガリウム , 分子線エピタキシー , トランジスタ , 窒化ガリウム

競争的資金等の研究課題 (9件)：

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論文 (204件)：

Rie Togashi, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai. Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. 5
Masataka Higashiwaki. β-Ga2O3 material properties, growth technologies, and devices: a review. AAPPS Bulletin. 2022
Rie Togashi, Haruka Ishida, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai. Thermodynamic analysis of β-Ga₂O₃growth by molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022
Joel B. Varley, Bo Shen, Masataka Higashiwaki. Wide bandgap semiconductor materials and devices. Journal of Applied Physics. 2022
Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa. Fabrication of beta-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. SF

MISC (22件)：

熊谷義直, 村上尚, 倉又朗人, 東脇正高. HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術. 応用物理. 2017. 86. 2. 107-111
東脇正高, 熊谷義直, 村上尚, 倉又朗人. エネルギーデバイス最前線酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と実用化への課題. エネルギーデバイス = Energy device. 2016. 3. 6. 43-47
小西敬太, 上村崇史, ワンマンホイ, 佐々木公平, 倉又朗人, 山腰茂伸, 東脇正高. Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 (電子デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 158. 11-15
ワンマンホイ, 東脇正高, 佐々木公平, 倉又朗人, 山腰茂伸. 高耐圧ディスプレッション型フィールドプレートGa2O3 MOSFET (電子デバイス研究会次世代化合物半導体デバイスの機能と応用). 電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan. 2016. 2016. 36. 29-33
東脇正高, WONG Man Hoi, 小西敬太, 佐々木公平, 佐々木公平, 後藤健, 後藤健, 野村一城, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, et al. 酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術. 電子情報通信学会技術研究報告. 2016. 115. 402(ED2015 112-120). 13-18

特許 (26件)：

書籍 (13件)：

次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:4860437675
Wide bandgap semiconductors for power electronics : materials, devices, applications
Wiley-VCH 2022 ISBN:3527346716
次世代パワー半導体の開発動向と応用展開
シーエムシー出版 2021 ISBN:9784781316130
Ultrawide bandgap semiconductors
Elsevier 2021 ISBN:9780128228708
次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎-Siから新材料への新展開- (設計技術シリーズ89)
科学情報出版株式会社 2021 ISBN:4904774957

講演・口頭発表等 (48件)：

Novel wide bandgap semiconductor Ga2O3 transistors
(International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2013) 2013)
Depletion-mode Ga2O3 MOSFETs on β-Ga2O3 (010) substrates with Si-ion-implanted channel and contact
(2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2013) 2013)
Structural and electrical properties of Al2O3/Ga2O3 MOS diode on β-Ga2O3 (010)
(2013 MRS Fall Meeting & Exhibit 2013)
Research and development on Ga2O3 transistors and diodes
(1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA 2013) 2013)
Research and development on Ga2O3 power devices
(2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) 2013)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (17件)：

2022/04 - 現在大阪公立大学大学院工学研究科電子物理系専攻電子物理工学分野教授
2022/04 - 現在国立研究開発法人情報通信研究機構未来ICT研究所小金井フロンティア研究センターグリーンICTデバイス研究室室長(兼務)
2021/05 - 現在 University of Bristol The Center for Device Thermography and Reliability (CDTR) Honorary Professor(兼務)
2016/03 - 現在 (株)ノベルクリスタルテクノロジー顧問(兼務)
2021/04 - 2022/03 国立研究開発法人情報通信研究機構未来ICT研究所小金井フロンティア研究センターグリーンICTデバイス研究室室長

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委員歴 (9件)：

2021/04 - 現在一般社団法人ワイドギャップ半導体学会企画主査
2020/04 - 現在応用物理学会先進パワー半導体分科会幹事
2018 - 現在 Air Force Office of Scientific Research (AFOSR) Multidisciplinary Research Program of the University Research Initiative (MURI), "Gallium Oxide Materials Science and Engineering (GAME)", USA Scientific Advisory Board Member
2016 - 現在 Leibniz Science Campus "Growth and Fundamentals of Oxides for Electronic Applications (GraFOx)", Germany International Advisory Board Member
2013/04 - 現在電気学会次世代化合物電子デバイスとその応用調査専門委員会委員

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受賞 (10件)：

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所属学会 (3件)：

電子情報通信学会 , IEEE , 応用物理学会

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東脇 正高