特許

J-GLOBAL ID：201703001962154900

フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ

発明者： ワン マンホイ ,  東脇 正高 ,  佐々木 公平
出願人/特許権者： 国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  株式会社タムラ製作所
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-189802
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069260
出願日： 2015年09月28日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

【課題】オフ状態における絶縁破壊電圧を向上させ、かつ絶縁膜/半導体界面準位への充放電に伴う電流コラプスをより効果的に抑制することができるフィールドプレート構造を有するGa2O3系トランジスタを提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga2O3系基板10と、Ga2O3系結晶層12と、ソース領域13及びドレイン領域14と、ソース電極15及びドレイン電極16と、ゲート電極17と、誘電体膜18と、を有するGa2O3系トランジスタ1を提供する。ゲート電極19はドレイン領域14の方向へ延在するフィールドプレート部22を含み、フィールドプレート部22の延在方向の長さLFは、1μm以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga2O3系基板と、 前記Ga2O3系基板上に形成されたGa2O3系結晶層と、 前記Ga2O3系結晶層中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、 前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極と、 前記Ga2O3系結晶層の前記ソース領域とドレイン領域の間の領域上に形成されたゲート電極と、 前記Ga2O3系結晶層上に形成された誘電体膜と、 を有し、 前記ゲート電極及び前記ソース電極の少なくとも一方が、前記Ga2O3系結晶層上に誘電体膜を介して形成され、前記ゲート電極又は前記ソース電極の底部のドレイン領域側の縁の真上の位置から前記ドレイン領域の方向へ延在するフィールドプレート部を含み、 前記フィールドプレート部の延在方向の長さが、1μm以上である、 Ga2O3系トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/06 301F

Fターム (24件)：

5F140AA25 ,  5F140AA29 ,  5F140BA00 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BF05 ,  5F140BF17 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BF42 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK13 ,  5F140CC03 ,  5F140CD09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-127962   出願人：株式会社タムラ製作所, 独立行政法人情報通信研究機構
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-199932   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-187764   出願人：株式会社東芝
• ショットキゲート電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307335   出願人：日本電気株式会社
• 窒化物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-173507   出願人：サンケン電気株式会社