研究者
J-GLOBAL ID：200901059053384040
更新日: 2024年09月18日 垣内 拓大
カキウチ タクヒロ | Kakiuchi Takuhiro
愛媛大学 大学院理工学研究科
愛媛大学 大学院理工学研究科 について
職名： 特任准教授/講師
競争的資金等の研究課題 (14件)：
- 2021 - 2024 金属(Hf・Zr)/Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御
- 2017 - 2020 凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測
- 2018 - 2018 Si(110)単結晶上に作製した二酸化ハフニウム超薄膜の表面界面を選 別した局所価電子状態の同時観測
- 2017 - 2018 固体表面研究用角度分解同時計数装置の開発による単原子分光研究
- 2016 - 2017 リアルタイムX線光電子分光法によるシリコン(Si)単結晶上に作製したハフニウム(Hf)超薄膜の酸化過程の観測
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- Takuhiro Kakiuchi, Ryota Anai, Taiju Saiki, Yasutaka Tsuda, Akitaka Yoshigoe. Coverage Dependence upon Early Oxidation Stages of Hafnium-Adsorbed Si(111)-7 × 7. The Journal of Physical Chemistry C. 2024. 128. 13052-13063
- Takuhiro Kakiuchi, Tomoki Matoba, Daisuke Koyama, Yuki Yamamoto, Akitaka Yoshigoe. Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on a Si(111) Substrate. Langmuir. 2022. 38. 8. 2642-2650
- 垣内拓大, 的場友希, 小山大輔, 山本優貴, 加藤大暉, 吉越章隆. Precise chemical state analyses of ultrathin hafnium films deposited on clean Si(111)-7 x 7 surface using high-resolution core-level photoelectron spectroscopy. Surface Science. 2020. 701. 121691-1-121691-8
- 垣内拓大, 山﨑英輝, 塚田千恵, 吉越章隆. Initial oxidation processes of ultrathin hafnium film and hafnium disilicide islands on Si(100)-2 x 1 surfaces studied using core-level X-ray photoelectron spectroscopy. Surface Science. 2020. 693. 121551-1-121551-8
- 垣内拓大, 池田恭平, 間瀬一彦, 長岡伸一. Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO2/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi2/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands. Surface Science. 2019. 681. 9-17
- 垣内拓大, 白石朗, 山根亮太郎, 矢野貴大, 津田泰孝, 吉越章隆. 超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ. 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web). 2021. 2021
- 垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 塚田千恵, 吉越章隆. Si(100)-2×1清浄表面に作製したハフニウム超薄膜の酸素吸着と脱離. 分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web). 2018. 12th. ROMBUNNO.2P049 (WEB ONLY)
- 垣内拓大, 山崎真寛, 間瀬一彦. Si(110)清浄表面上に作製したハフニウムシリサイド超薄膜の 表面界面を選別した局所価電子状態. PF Act. Rep. 2016. 2017. 34
- 垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦. Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への水素吸着過程とその表面物性. 物構研サイエンスフェスタ要旨集. 2015. 3rd
- 垣内 拓大, 桂木 拓磨, 中納 佑二, 吉越 章隆, 長岡 伸一, 間瀬 一彦. 低速電子回折と電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究. 表面科学学術講演会要旨集. 2015. 35. 0. 138-138
-
ハフニウムが吸着したゲルマニウム表面と酸素分子の反応中に同時進行する酸化・還元反応
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024) -
ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023) -
超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応
(第16回分子科学討論会 2022横浜 2022) -
超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ
(2021年日本表面真空学会学術講演会 2021) -
内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス
(第15回分子科学討論会 2021)
- 2006 - 2008 総合研究大学院大学(総研大) 高エネルギー加速器科学研究科 物質構造科学専攻
- - 2008 総合研究大学院大学
- 2004 - 2006 愛媛大学大学院 理工学研究科 物質理学専攻
- 2000 - 2004 愛媛大学 理学部 物質理学科
- - 2004 愛媛大学
- 2023/04 - 現在 愛媛大学大学院 理工学研究科 特任准教授/講師
- 2008/04 - 2023/03 愛媛大学大学院 理工学研究科環境機能科学専攻 助教(特任講師)
- 2017/08 - 2018/08 Helmholtz Zentrum Berlin Methods and Instrumentation for Synchrotron Radiation Research Guest Researcher
- 2015/04 - 現在 愛媛大学理学同窓会 幹事
- 2023/04 - 2024/03 令和5年度 高校生おもしろ科学コンテスト 問題作成委員
- 2020/08 - 2020/08 愛媛大学Webオープンキャンパス理学部WG座長 オープンキャンパス理学部WG
- 2020/12 - 愛媛大学理学部 理学部研究奨励賞
- 2019/12 - 愛媛大学理学部 理学部研究奨励賞
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