研究者
J-GLOBAL ID:200901071154476701   更新日: 2022年09月14日

安田 幸夫

ヤスダ ユキオ | Yasuda Yukio
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性
研究キーワード (2件): 半導体工学 ,  Semiconductor Science and Technology
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 金属・半導体界面の単原子層制御および低コンタクト抵抗率実現に関する研究
  • シリコン表面の初期酸化過程に関する研究
  • Ge/Si系ヘテロエピタキシャル成長機構の研究
  • Study on mono atomic control of metal semiconductor interface, and realization of low contact resistinity
  • Study on initial oxidation prosses of Si surfaces
全件表示
MISC (58件):
書籍 (4件):
  • 結晶成長の基礎(共著)
    培風館 1997
  • "Growth processes in the heteroepitaxy of Ge and Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> on Si substrates using gassource molecular beam epitaxy" in "Advances in the understanding of crystal growth mechanisms"
    Elsevier Science 1997
  • マイクロエレクトロニクス入門
    オーム社 1984
  • Introduction of Microelectronics
    Ohm Co. 1984
学歴 (4件):
  • - 1965 名古屋大学 工学研究科 応用物理学専攻
  • - 1965 名古屋大学
  • - 1963 名古屋大学 工学部 応用物理学科
  • - 1963 名古屋大学
学位 (2件):
  • 工学博士
  • 工学修士
委員歴 (7件):
  • 1996 - 1998 国際真空連合(International Union for Vacuum Science, Technique, and Applications) 電子材料部門常任理事会副委員長兼プログラム委員長,電子材料部門常任理事会委員長兼プログラム委員長
  • 1992 - 1998 国際真空連合(International Union for Vacuum Science,Technique,and Applications) 電子材料部門常任理事会委員
  • 1992 - 1998 日本真空協会 電子材料部会日本代表,理事会理事
  • 1998 - Materials Science in Semiconductor Processing 編集委員
  • 1998 - J.Vacuum Science and Technology 編集委員
全件表示
所属学会 (11件):
Materials Science in Semiconductor Processing ,  J.Vacuum Science and Technology ,  Electrochemical Society ,  MRS(Materials Research Society) ,  日本物理学会 ,  国際真空連合(International Union for Vacuum Science, Technique, and Applications) ,  日本結晶学会 ,  日本結晶成長学会 ,  国際真空連合(International Union for Vacuum Science,Technique,and Applications) ,  日本真空協会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る