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研究者
J-GLOBAL ID:201401006813709992
更新日: 2024年12月18日
長澤 弘幸
Nagasawa Hiroyuki
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研究キーワード (3件):
半導体デバイス
, 結晶成長
, 炭化珪素
MISC (9件):
長澤弘幸. パワーエレクトロニクスの発展を担うSiC. CISTEC Journal 安全保障貿易情報センター. 2016. 161. 99-116
Hiroyuki Nagasawa. パワーエレクトロニクスの発展を担うSiC. CISTEC Journal,安全保障貿易情報センター. 2016. 161. 99-116
Hiroyuki Nagasawa, Ramya Gurunathan, Maki Suemitsu. Controlling planar defects in 3C-SiC: Ways to wake it up as a practical semiconductor. Materials Science Forum. 2015. 821-823. 108-114
Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyoki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu. High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure. Materials Science Forum. 2015. 806. 89-93
S. Beljakowa, M. Hauck, M. Bockstedte, F. Fromm, M. Hundhausen, H. Nagasawa, H. B. Weber, G. Pensl, M. Krieger. Persistent Conductivity in n-type 3C-SiC Observed at Low Temperatures. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2. 2014. 778-780. 265-+
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講演・口頭発表等 (22件):
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構
(第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015)
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構
(第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015)
SiCエピタキシャル成長技術と ポリタイプ積層
(第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015)
SiCエピタキシャル成長技術と ポリタイプ積層
(第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) 2015)
What is 'Killer Defect' in 3C-SiC
(IUMRS-ICA 2014)
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学位 (1件):
工学博士 (東海大学)
経歴 (1件):
東北大学 電気通信研究所 研究員
※ J-GLOBALの研究者情報は、
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