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研究者
J-GLOBAL ID:201801007999056043   更新日: 2025年01月27日

今西 正幸

イマニシ マサユキ | Imanishi Masayuki
クリップ
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (7件): 酸化ガリウム ,  パワーデバイス ,  ワイドギャップ半導体 ,  結晶成長 ,  ポイントシード ,  Naフラックス法 ,  GaN
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2024 - 2029 グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
  • 2023 - 2026 OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術
  • 2021 - 2023 毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術
  • 2020 - 2023 酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発
  • 2018 - 2020 Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発
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論文 (102件):
  • Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura. Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect. Journal of Crystal Growth. 2025. 649. 127948-1-127948-6
  • S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori. Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 8
  • Masayuki Imanishi, Shigeyoshi Usami, Kosuke Murakami, Kanako Okumura, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Yohei Otoki, Tomio Yamashita, Naohiro Tsurumi, Satoshi Tamura, et al. Characteristics of Vertical Transistors on a GaN Substrate Fabricated via Na-Flux Method and Enlargement of the Substrate Surpassing 6 Inches. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2024. 18. 11. 2400106-1-2400106-10
  • T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, S. Usami, M. Imanishi, Y. Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, A. Sakai. Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in GaN substrates by nanobeam x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 22
  • Uta MICHIBATA, Mihoko MARUYAMA, Yutaro TANAKA, Masashi YOSHIMURA, Hiroshi YOSHIKAWA, Kazufumi TAKANO, Yoshihiro FURUKAWA, Koichi MOMMA, Rie TAJIRI, Kazumi TAGUCHI, et al. Calcium phosphate controls nucleation and growth of calcium oxalate crystal phases in kidney stones. Biomedical Research (Tokyo). 2024. 45. 3. 103-113
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MISC (29件):
  • 道端詩, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 塚本勝男, et al. ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察. 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM). 2023. 52nd
  • 鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介. Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, et al. Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||. Japanese Journal of Applied Physics (Web). 2022. 61. 5
  • 滝野 淳一, 隅 智亮, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 岡山 芳央, 森 勇介. 超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用. 日本結晶成長学会誌. 2021. 48. 3. 3-02
  • 今西 正幸, 村上 航介, 宇佐美 茂佳, 丸山 美帆子, 吉村 政志, 森 勇介. ポイントシード技術を用いたNa フラックス法による高品質・大口径GaN ウエハの作製. 日本結晶成長学会誌. 2021. 48. 3. 3-01
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特許 (86件):
書籍 (1件):
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:4860437675
講演・口頭発表等 (260件):
  • OVPE法による(010)面β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>成長における多結晶量のVI/III比依存性
    (第3回結晶工学講演会 2024)
  • Naフラックス法におけるLaser-Assisted Separation (LAS) 法を用いたGaN結晶の クラック抑制
    (第3回結晶工学講演会 2024)
  • Naフラックス法によるGaN結晶育成における多結晶抑制に向けた成長温度・圧力条件の検討
    (第3回結晶工学講演会 2024)
  • Reduction of polycrystalline GaN crystals derived from melt back of seed substrate in the Na-flux method
    (12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
  • In situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices grown on OVPE-GaN substrates
    (12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) 2024)
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学歴 (3件):
  • 2013 - 2016 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
  • 2012 - 2013 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
  • - 2012 大阪大学 工学部 電子情報工学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (5件):
  • 2020/10 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 准教授
  • 2018/04 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2018 - 2020/09 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 助教
  • 2016/09 - 2018/03 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2016/04 - 2016/08 大阪大学 大学院工学研究科 特任研究員(常勤)
受賞 (12件):
  • 2024/10 - 第43回電子材料シンポジウム EMS賞
  • 2024/05 - 一般社団法人 日本赤外線学会 第10回日本赤外線学会論文賞
  • 2022/12 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会 講演奨励賞 OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長
  • 2022/06 - フジサンケイ ビジネスアイ 第35回 独創性を拓く 先端技術大賞 社会人部門 特別賞 Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術 ~脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して~
  • 2020/09 - 公益社団法人 応用物理学会 応用物理学会論文賞
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所属学会 (3件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会
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