研究者
J-GLOBAL ID:200901001189908053
更新日: 2024年12月18日
八木 英樹
ヤギ ヒデキ | Yagi Hideki
所属機関・部署:
独立行政法人科学技術振興機構 ナノ 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製
独立行政法人科学技術振興機構 ナノ 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製 について
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職名:
研究員
研究分野 (1件):
光工学、光量子科学
競争的資金等の研究課題 (3件):
1999 - 2007 歪補償量子井戸構造を用いるGaInAsP/InP多層量子細線レーザに関する研究
1999 - 2002 歪補償量子井戸を用いるGaInAsP/InP低次元量子構造レーザに関する研究
1999 - 2002 Study about GaInAsP/InP low-dimensional quantum-well laser using strain-compensated quantum-well
MISC (9件):
H Yagi, T Sano, K Ohira, D Plumwongrot, T Maruyama, A Haque, S Tamura, S Arai. GaInAsP/InP partially strain-compensated multiple-quantum-wire lasers fabricated by dry etching and regrowth processes. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2004. 43. 6A. 3401-3409
Hideki Yagi, Takuya Sano, Koji Miura, Dhanorm Plumwongrot, Kazuya Ohira, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai, Hideki Yagi, Takeo Maruyama, Shigehisa Arai. GaInAsP/InP long-wavelength lasers with strain-compensated quantum-wire active regions and SiO2/semiconductor reflectors. IEICE Electronics Express. 2004. 1. 17. 540-544
H Yagi, T Sano, K Ohira, T Maruyama, A Haque, S Arai. Room temperature-continuous wave operation of GaInAsP/InP multiple-quantum-wire lasers by dry etching and regrowth method. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2003. 42. 7A. L748-L750
H Yagi, K Muranushi, N Nunoya, T Sano, S Tamura, S Arai. Low-damage etched/regrown interface of strain-compensated GaInAsP/InP quantum-wire laser fabricated by CH4/H-2 dry etching and regrowth. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2002. 81. 6. 966-968
H Yagi, K Muranushi, N Nunoya, T Sano, S Tamura, S Arai. GaInAsP/InP strain-compensated quantum-wire lasers fabricated by CH4/H-2 dry etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 2B. L186-L189
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学歴 (4件):
- 2001 東京工業大学 理工学研究科 電子物理工学
- 2001 東京工業大学
- 1999 工学院大学 工学部 電子工学科
- 1999 工学院大学
学位 (1件):
工学修士 (東京工業大学)
経歴 (1件):
2004 - 独立行政法人 科学技術振興機構 研究員 現在に至る
委員歴 (1件):
2001 - 応用物理学会 正会員
所属学会 (1件):
応用物理学会
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