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J-GLOBAL ID：201002256502259471   整理番号：10A0135380

歪補償量子細線活性領域およびSiO₂/半導体反射器を含むGaInAsP/InP長波長レーザ

GaInAsP/InP long-wavelength lasers with strain-compensated quantum-wire active regions and SiO₂/semiconductor reflectors

著者 (10件)： YAGI Hideki (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  YAGI Hideki (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency) ,  SANO Takuya (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  MIURA Koji (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  PLUMWONGROT Dhanorm (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  OHIRA Kazuya (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  MARUYAMA Takeo (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  MARUYAMA Takeo (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency) ,  ARAI Shigehisa (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol.) ,  ARAI Shigehisa (CREST, Japan Sci. and Technol. Agency)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 1  号： 17  ページ： 540-544 (J-STAGE)  発行年： 2004年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/半導体反射器を含むGaInAsP/InP歪補償型多重量子細線レーザ(100nm周期で19nmおよび27nmの細線幅)を,電子ビームリソグラフィー,CH₄/H₂反応イオンエッチングおよび2段有機金属気相エピタキシャル成長プロセスによって実現した。その結果として,この量子細線レーザの閾値電流密度は同じ最初のウエハで作製した量子薄膜レーザの場合よりも低かった。更に,基底準位間の遷移による発振を室温で観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *リン化インジウム ,  赤外レーザ ,  補償 ,  *量子細線 ,  *活性層 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *半導体レーザ ,  量子井戸 ,  RIE【エッチング】 ,  MOCVD ,  反射器 ,  ウエハ【IC】 ,  電流密度 ,  閾値電流
準シソーラス用語： InP ,  長波長レーザ ,  歪補償 ,  量子細線レーザ ,  OMVPE

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (8件)：

• [1] N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura, and S. Arai, “GaInAsP/InP Multiple-Layered Quantum-Wire Lasers Fabricated by CH₄/H₂ Reactive-Ion Etching, ” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 39, no. 6A, pp. 3410-3415, June 2000.
• [2] N. Nunoya, M. Nakamura, M. Morshed, S. Tamura, and S. Arai, “High-Performance 1.55-µm Wavelength GaInAsP-InP Distributed-Feedback Lasers with Wirelike Active Regions, ” IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., vol. 7, no. 2, pp. 249-258, March-April 2001.
• [3] H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, T. Maruyama, A. Haque, and S. Arai, “Room Temperature-Continuous Wave Operation of GaInAsP/InP Multiple-Quantum-Wire Lasers by Dry Etching and Regrowth Method, ” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 42, no. 7A, pp. 748-750, July 2003.
• [4] H. Yagi, T. Sano, K. Ohira, D. Plumwongrot, T. Maruyama, A. Haque, S. Tamura, and S. Arai, “GaInAsP/InP Partially Strain-Compensated Multiple-Quantum-Wire Lasers Fabricated by Dry Etching and Regrowth Processes, ” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 6A, pp. 3401-3409, June 2004.
• [5] H. Yagi, K. Muranushi, N. Nunoya, T. Sano, S. Tamura, and S. Arai, “Low-damage etched/regrown interface of strain-compensated GaInAsP/InP quantum-wire laser fabricated by CH₄/H₂ dry etching and regrowth, ” Appl. Phys. Lett., vol. 81, no. 6, pp. 966-968, Aug. 2002.

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪補償 ,  量子細線 ,  活性領域 ,  SiO2 ,  反射器 ,  GaInAsP ,  InP ,  長波長レーザ