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文献
J-GLOBAL ID:201802228973706438   整理番号:18A1330587

AlGaN/GaN MOSヘテロ接合電界効果トランジスタ用SiO2/AlON積層ゲート誘電体

SiO2/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors
著者 (12件):
資料名:
巻: 57  号: 6S3  ページ: 06KA03.1-06KA03.6  発行年: 2018年06月
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
界面の電気的性質一般  ,  その他の無機化合物の薄膜 
引用文献 (35件):
  • M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
  • Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
  • A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
  • M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
  • X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
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