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J-GLOBAL ID：201802228973706438   整理番号：18A1330587

AlGaN/GaN MOSヘテロ接合電界効果トランジスタ用SiO₂/AlON積層ゲート誘電体

SiO₂/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors

著者 (12件)： WATANABE Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERASHIMA Daiki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOZAKI Mikito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMADA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAZAWA Satoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ANDA Yoshiharu (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S3  ページ： 06KA03.1-06KA03.6  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  *MOS構造 ,  FET【トランジスタ】 ,  二酸化ケイ素 ,  *酸素化合物 ,  *窒化物 ,  *ゲート絶縁膜 ,  多層膜 ,  X線光電子分光法 ,  結合エネルギー ,  *容量電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  *電圧 ,  *酸窒化アルミニウム ,  *絶縁破壊電圧 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  電界効果トランジスタ ,  積層膜 ,  *リーク電流

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (35件)：

• M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
• Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
• A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
• M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
• X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  SiO2 ,  ゲート誘電体