特許
J-GLOBAL ID：200903057703167990
ゲルマニウム(Ge)半導体デバイス製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-215556
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041988
出願日： 2006年08月08日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】高速処理が期待できるゲルマニウム(Ge)半導体デバイス実現のキー技術は、接合部へドーピングした不純物の拡散深さの制御方法である。Geはシリコンに比較してドーパントの拡散速度が速く、従来のSiベースの半導体デバイス製造に使用されたイオン注入方法では接合部深さが過大となって実用的なGeデバイス製造に至らなかった。Ge半導体デバイスにおいて浅い接合部を得ることの可能なイオン注入方法が検討されている。【解決手段】本発明はGe半導体デバイスの接合部を浅く形成するイオン注入方法を提案する。Geに不純物をドーピングする過程において、キセノン(Xe)イオン注入によりGe表面近傍をアモルファス化するプレアモルファス化処理を行なった後に所要の不純物をイオン注入すれば、浅い接合部を得ることが出来る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Ge半導体デバイスのイオン注入による接合部の形成するドーピング工程において、Ge基板をXeイオン注入によりプレアモルファス化処理し、前記アモルファス化されたGe基板へのドーパントのイオン注入を行なってGe半導体デバイスのドーピングを行なうことを特徴とするGe半導体デバイスの製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/265 F
, H01L21/265 Q
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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