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J-GLOBAL ID：200902263694979435   整理番号：05A0348817

分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性

Electroluminescence Properties of InGaAsSbN Quantum Well Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (3件)： 中川智克 (大阪府大 先端科研) ,  河村裕一 (大阪府大 先端科研) ,  井上直久 (大阪府大 先端科研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 48  号： 3  ページ： 124-126  発行年： 2005年03月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAs基板およびInP基板上にInGaAsSbN量子井戸ダ...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (7件)：

• 1) K. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) 1273.
• 2) H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama and A. Kasukawa: IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 7 (2001) 355.
• 3) S. R. Bank, M. A. Wistery, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha and J. S. Harris Jr.: Electron. Lett., 39 (2003) 1445.
• 4) J. Wagner, D. Serries, K. Kohler, P. Ganser, M. Maier, L. Kirste and R. Kiefer: Proc. 16^th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, (IEEE, NJ, 2004) 32.
• 5) Y. Kawamura, T. Nakagawa and N. Inoue: Jpn. J. Appl. Phys., 43 (2004) L1320.

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線エピタキシャル成長 ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  発光特性