研究者
J-GLOBAL ID:200901026169127554
更新日: 2024年12月18日
吉竹 正明
ヨシタケ マサアキ | Yoshitake Masaaki
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所属機関・部署:
大阪府立産業技術総合研究所 業務推進部研究調整課
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職名:
研究調整課長
ホームページURL (1件):
http://www.tri.pref.osaka.jp/
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (6件):
真空
, センサデバイス
, 薄膜
, Vacuum
, Sensor device
, Thin films
競争的資金等の研究課題 (4件):
2001 - 2002 温度補償素子集積型特殊環境用圧力センサの開発と実用化の研究
2000 - 2002 金属酸化物、窒化物、炭化物薄膜の作製とその応用
2000 - 2002 preparation of metal oxide, metal nitride and metal
carbide thin films and their application.
MISC (9件):
Masaaki Yoshitake, Toshikazu Nosaka, Akio Okamoto, Soichi Ogawa. The use of the ion beam current as a process control in the reactive sputtering of zirconium oxide. Thin Solid Films. 1993. 230. 1. 48-54
Synthesis of Zr-N film by reactive ion beam sputtering. Jpn.J.Appl.Phys. 29 (1990) 2800-2808
Effects on nitrogen pressure and RF power on the properties of reactive magnetron sputtered Zr-N and Application to a thermistor. Jpn.J.Appl.Phys. 31 (1992) 4002-4009
Effects of ion species on reactive ion beamsputtered Zr-N films. Jpn.J.Appl.Phys. 32 (1993) L113-115
Deposition of Zr-C thin films and plasma-polymerized hydrocarbon films in the reactive magnetron sputtering process. Thin solid Films 211 (1992) 72-78
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学歴 (3件):
- 1974 大阪府立大学 工学研究科 電子工学
- 1974 Osaka Prefectural University Electronics
- 1972 大阪府立大学 工学部電子工学科 工学部 電子工学科
学位 (1件):
博士(工学) (大阪府立大学)
経歴 (1件):
1976 - :大阪府立工業技術研究所(現産業技術総合研究所)入所
所属学会 (4件):
日本真空協会
, 応用物理学会
, Vacuum Society of Japan
, Japan Society of Applied Physics
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