成膜装置と半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-011157
公開番号（公開出願番号）：特開2020-120034
出願日： 2019年01月25日
公開日（公表日）： 2020年08月06日
要約：

【課題】ミストを用いて基板の表面に安定した品質の膜を成長させる。【解決手段】開示される成膜装置は、基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる。この成膜装置は、前記基板を載置するステージと、前記基板を加熱するヒータと、溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる成膜装置であって、前記基板を載置するステージと、前記基板を加熱するヒータと、溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、を有する成膜装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/208 , C23C 16/448 , C30B 29/16 , C30B 25/14

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/208 , C23C16/448 , C30B29/16 , C30B25/14

Fターム (56件)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB01 , 4G077EG11 , 4G077EG16 , 4G077EG22 , 4G077EG30 , 4G077TE00 , 4G077TF00 , 4G077TH01 , 4G077TH06 , 4G077TH13 , 4K030AA02 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030CA17 , 4K030EA01 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030JA04 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC03 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AF01 , 5F045BB01 , 5F045DP02 , 5F045DP07 , 5F045DP27 , 5F045DP28 , 5F045EE02 , 5F045EE20 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB52 , 5F053BB54 , 5F053BB57 , 5F053BB58 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK10 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (9件)

成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-265303 出願人：株式会社フジクラ
循環式乾燥装置および循環式乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-040598 出願人：三菱レイヨン株式会社
特開平1-095517

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