特許
J-GLOBAL ID：202103019378844472

半導体装置とその製造方法

発明者：
永岡 達司

永岡 達司 について

, 
西中 浩之

西中 浩之 について

, 
吉本 昌広

吉本 昌広 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について

, 
国立大学法人京都工芸繊維大学

国立大学法人京都工芸繊維大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-021850
公開番号（公開出願番号）：特開2021-127262
出願日： 2020年02月12日
公開日（公表日）： 2021年09月02日
要約：
【課題】 直方晶系の半導体を好適に成長させる。【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0 請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法であって、 ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0 IPC (8件)：
C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 29/24 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (6件)：
C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L29/24 ,  H01L29/80 H
Fターム (51件)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030JA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AF01 ,  5F045CA01 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA67 ,  5F045DP04 ,  5F045DP07 ,  5F045EE02 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB05 ,  5F053BB58 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GK01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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