半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-021850
公開番号（公開出願番号）：特開2021-127262
出願日： 2020年02月12日
公開日（公表日）： 2021年09月02日
要約：

【課題】直方晶系の半導体を好適に成長させる。【解決手段】半導体装置の製造方法であって、ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層上に、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されているとともに直方晶系の結晶構造を有する第2層を成長させる工程を有する。この製造方法によれば、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層と直方晶系の結晶構造を有する第2層を有する半導体装置を製造することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、ミストCVD法によって、Ga2-xFexO3(0<x<2)により構成された第1層上に、前記第1層とは異なる組成を有する半導体材料により構成されているとともに直方晶系の結晶構造を有する第2層を成長させる工程を有する、製造方法。

IPC (8件)：

C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , H01L 21/365 , H01L 29/24 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (6件)：

C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L29/24 , H01L29/80 H

Fターム (51件)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB01 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA42 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030JA10 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AF01 , 5F045CA01 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA67 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045EE02 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB05 , 5F053BB58 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053RR20 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GK01 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (5件)

積層構造体および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2017-191609 出願人：株式会社FLOSFIA
成膜方法、及び、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2018-134347 出願人：トヨタ自動車株式会社, 国立大学法人京都工芸繊維大学
基体、発光素子および基体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-221683 出願人：国立大学法人京都工芸繊維大学

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