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J-GLOBAL ID：200902111900968386   整理番号：01A0620132

ファセット制御エピタキシャル横方向被覆成長法で作製したGaN層における転位の透過型電子顕微鏡研究

Transmission Electron Microscopy Investigation of Dislocations in GaN Layer Grown by Facet-Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth.

著者 (5件)： HONDA Y (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  IYECHIKA Y (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MIYAKE H (Mie Univ., Mie, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 4A  ページ： L309-L312  発行年： 2001年04月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記GaN層内における貫通転位の伝搬を分析した。混合型転位は...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (7件)：

• 1) O.-H. Nam, M. D. Dremser, T. S. Zheleva and R. F. Davis: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2638.
• 2) A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.
• 3) T. Nishinaga, T. Nakano and S. Zhand: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L964.
• 4) K. Hiramatsu, K. Nishiyawa, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika and T. Maeda: Phys. Status Solidi (a) 176 (1999) 535.
• 5) Y. Kawaguchi, M. Shimizu, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki, W. Taki, H. Tsuda, N. Kuwano, K. Oki, T. Zheleva and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 24.

タイトルに関連する用語 (8件)： ファセット ,  エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  作製 ,  GaN ,  転位 ,  透過型電子顕微鏡 ,  研究