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J-GLOBAL ID：200902118886740410   整理番号：01A0059384

分光偏光解析法によるSiC上の酸化物膜の特性評価

Characterization of Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry.

著者 (8件)： IIDA T (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  TOMIOKA Y (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  HIJIKATA Y (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YAGUCHI H (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIKAWA M (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  ISHIDA Y (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA S (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 10B  ページ： L1054-L1056  発行年： 2000年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分光偏光解析法によってSiC上の熱酸化膜の光学定数を評価し,...

シソーラス用語： 偏光解析法 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (15件)：

• 1) V. V. Afanas’ev, M. Bassler, G. Pensl and M. J. Schulz: Phys. Status Solidi (a) 162 (1997) 312.
• 2) L. A. Lipkin and J. W. Palmour: J. Electron. Mater. 25 (1996) 909.
• 3) K. Fukuda, S. Suzuki, T. Tanaka and K. Arai: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1585.
• 4) D. Alok, P. K. McLarty and B. J. Baliga: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 2845.
• 5) M. Yoshikawa, K. Saitoh, T. Ohshima, H. Itoh, I. Nashiyama, Y. Takahashi, K. Ohnishi, H. Okumura and S. Yoshida: Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 1017.

タイトルに関連する用語 (4件)： 分光偏光解析法 ,  SiC ,  酸化物膜 ,  特性評価