進歩したゲート誘電体材料用のハフニウム及びジルコニウムのけい酸塩

WILK G D; WALLACE R M; ANTHONY J M

文献

J-GLOBAL ID：200902120641223201 整理番号：00A0185688

進歩したゲート誘電体材料用のハフニウム及びジルコニウムのけい酸塩

Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics.

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巻： 87 号： 1 ページ： 484-492 発行年： 2000年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記材料(HfSi<sub>x</sub>O<sub>y<...

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その他の無機化合物の薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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