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J-GLOBAL ID：200902128982561734   整理番号：01A0700085

サブ100nm絶縁体上歪シリコンMOSFETのための高Ge組成比を有する超薄緩和SiGe膜バッファ層の新しい作製法

A Novel Fabrication Technique of Ultrathin and Relaxed SiGe Buffer Layers with High Ge Fraction for Sub-100nm Strained Silicon-on-Insulator MOSFETs.

著者 (5件)： TEZUKA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIZUNO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUZUKI M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4B  ページ： 2866-2874  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 埋め込み酸化物(BOX)層上の歪緩和SiGe層(SGOI)の...

シソーラス用語： *バッファ層 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (27件)：

• MIZUNO, T. Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. 1999, 934
• MIZUNO, T. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 230
• SU, L. T. IEEE Electron Device Lett. 1994, 15, 366
• OBERHUBER, R. Phys. Rev. B. 1998, 58, 9941
• ISHIKAWA, Y. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 983

タイトルに関連する用語 (10件)： サブ ,  絶縁体 ,  歪シリコン ,  MOSFET ,  Ge ,  組成比 ,  緩和 ,  SiGe ,  バッファ層 ,  作製法