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J-GLOBAL ID：200902130322030463   整理番号：01A0700106

水素プラズマ処理によるSi上の3C-SiC中の深い準位の不動態化

Passivation of Deep Levels in 3C-SiC on Si by a Hydrogen Plasma Treatment.

著者 (7件)： KATO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SOBUE F (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YAMADA N (Toyota Central Res. and Dev. Lab. Inc., Aichi, JPN) ,  TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  OKUMURA T (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4B  ページ： 2983-2986  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型3C-SiC/Si中の深い準位を水素プラズマ処理によって...

シソーラス用語： *深い準位 ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (9件)：

• 1) S. J. Pearton, J. W. Corbett and M. Stavola: Hydrogen in Crystalline Semiconductor (Springer, Berlin, 1992).
• 2) K. Fukuda, S. Suzuki, T. Tanaka and K. Arai: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1585.
• 3) P. J. Macfarlane and M. E. Zvanut: Mat. Res. Soc. Symp. 513 (1998) 433.
• 4) F. Gendron, L. M. Porter, C. Porte and E. Bringuier: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1253.
• 5) N. Achtziger, J. Grillenberger, W. Witthuhn, M. K. Linnarsson, M. Janson and B. G. Svensson: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 945.

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素プラズマ ,  Si ,  3C-SiC ,  深い準位 ,  不動態化