文献

J-GLOBAL ID：200902135685898270   整理番号：00A0692965

VUVリソグラフィー用ポリ(α-メチル-p-ヒドロキシスチレン-co-メタクリロニトリル)ベースの単一層レジスト I 合成,物性及び光化学

Poly(α-methyl-p-hydroxystyrene-co-methacrylonitrile) Based Single-Layer Resists for VUV Lithography: (1) Synthesis, Properties and Photochemistry.

著者 (6件)： SHIRAI M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KATAOKA A (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  SHINOZUKA T (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  TSUNOOKA M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KISHIMURA S (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN) ,  SASAGO M (Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 13  号： 3  ページ： 459-465  発行年： 2000年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記VUV(真空紫外線)リソグラフィー用共重合体を合成し,単...

シソーラス用語： 光化学反応 ,...
準シソーラス用語： 物性 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光化学反応  (CB08020F)

物質索引 (7件)： アクリロニトリル ,  メタクリロニトリル ,  4-(tert-ブトキシカルボニルオキシ)スチレン ,  4-(tert-ブトキシカルボニルオキシ)-α-メチルスチレン ,  α-メチルスチレン ,  トリメチルアンモニウム ,  4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン

引用文献 (12件)：

• 1). M. Sasago, J. Photopolym. Sci. Technol., 12, 585 (1999).
• 2). T. M. Bloomstein, M. W. Horn, M. Rothschild, R. Kunz, S. T. Palmacci and R. B. Goodman, J. Vac. Sci. Technol., B15, 2112 (1997).
• 3). T. M. Bloomstein, M. Rothschild, R. R. Kunz, D. E. Hardy, R. B. Goodman and S. T. Palmacci, J. Vac. Sci. Technol., B 16,3154 (1998).
• 4). S. Kishimura, A. Katsuyama, M. Sasago, M. Shirai and M. Tsunooka, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 7103 (1999).
• 5). R. R. Kunz, T. M. Bloomstein, D. E. Hardy, R. B. Goodman, D. E. Downs and J. E. Curtin, Proc. SPIE, 3678, 13 (1999).

タイトルに関連する用語 (9件)： VUV ,  リソグラフィー ,  p-ヒドロキシスチレン ,  CO ,  メタクリロニトリル ,  単一層 ,  レジスト ,  物性 ,  光化学