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J-GLOBAL ID：200902139514215618   整理番号：98A0793935

ピエゾ電場がGaN/AlGaN量子井戸における放射特性にもたらす影響

Effect of piezo electric field on emission characteristics in GaN/AlGaN quantum wells.

著者 (6件)： HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAKAGUCHI T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190  ページ： 644-647  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電場 ,  GaN ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  放射特性