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J-GLOBAL ID：200902142058279081   整理番号：01A0513456

大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第3報) 高遠形成a-Si薄膜の電気・光学特性

High Speed Deposition of Amorphous Silicon Film by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (3rd Report). Electrical and Optical Properties of a-Si Films Fabricated at Very High Deposition Rate.

著者 (7件)： 森勇蔵 (大阪大 大学院工学研究科) ,  芳井熊安 (大阪大 大学院工学研究科) ,  安武潔 (大阪大 大学院工学研究科) ,  垣内弘章 (大阪大 大学院工学研究科) ,  木山精一 (三洋電機) ,  樽井久樹 (三洋電機) ,  堂本洋一 (三洋電機)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 67  号： 5  ページ： 829-833  発行年： 2001年05月05日 
JST資料番号： F0268A  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アモルファスSi(a-Si)薄膜の形成にはプラズマCVD法が...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 高速蒸着

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分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (10件)：

• 鯉沼秀臣. 大気中への非平衡RF放電の放出と半導体関連プロセスへの応用. 第44回応用物理学関係連合会講演会講演予稿集. 1997, 1388
• 小駒益弘. 大気圧均質プラズマの実現とプラズマプロセスへの展開. 第44回応用物理学関係連合会講演会講演予稿集. 1997, 1389
• TEON, H. G. Deposition of ZnO Film by Using an Atmospheric pressure Cold Plasma Generator. Precision Science and Technology for Perfect Surfaces. 1999, 596
• MORI, Y. Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition of Amorphous Silicon Films with High Growth Rate. 1996 The Japan-China Bilateral Symp. Advanced Manufacturing Eng. 1996, 84
• 森勇藏. 大気圧プラズマCVDによるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報)-回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作-. 精密工学会誌. 1999, 65,11, 1600

タイトルに関連する用語 (7件)： 大気圧プラズマ ,  CVD法 ,  アモルファスSi ,  高速成膜 ,  研究 ,  Si薄膜 ,  光学特性