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J-GLOBAL ID：200902142860604494   整理番号：01A0743487

分子ビームエピタクシーにより成長させた1.55μmのレーザのためのInGaAsNSb/GaAsの量子井戸

InGaAsNSb/GaAs quantum wells for 1.55μm lasers grown by molecular-beam epitaxy.

著者 (4件)： YANG X (Columbia Univ., New York) ,  HEROUX J B (Columbia Univ., New York) ,  MEI L F (Columbia Univ., New York) ,  WANG W I (Columbia Univ., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 26  ページ： 4068-4070  発行年： 2001年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N₂の高周波プラズマ源を用いた固体源の...

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  レーザ ,  GaAs ,  量子井戸