昇華法と有機金属化学気相ホモエピタキシャル成長法による厚いGaNの成長と特性評価

文献

J-GLOBAL ID：200902144138797418 整理番号：96A0418008

Growth and Characterization of Thick GaN by Sublimation Method and Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

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巻： 35 号： 3 ページ： 1637-1640 発行年： 1996年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

昇華法により,初めて厚いGaN(10-30μm)をサファイア...

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半導体薄膜

引用文献 (10件)：

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