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J-GLOBAL ID：200902145640245590   整理番号：00A0651201

誘導結合プラズマエッチングで作製した半導体/空気分布Bragg反射器を用いた低しきい値GaInAsPレーザ

Low Threshold GaInAsP Lasers with Semiconductor/Air Distributed Bragg Reflector Fabricated by Inductively Coupled Plasma Etching.

著者 (7件)： ARIGA M (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SEKIDO Y (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SAKAI A (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  BABA T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  MATSUTANI A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 6A  ページ： 3406-3409  発行年： 2000年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋なCl₂ガスを用いた標記のプラズマ...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： 間隙率 ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (9件)：

• 1) T. Baba, M. Hamasaki, N. Watanabe, P. Kaeplung, A. Matsutani, T. Mukaihara, F. Koyama and K. Iga: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1390.
• 2) M. Hamasaki, P. Kaewplung, T. Baba, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga: Proc. Optelectronic and Communication Conf., Makuhari (1996) 18P-31.
• 3) Y. Yuan, T. Brock, P. Bhattacharya, C. Caneau and R. Bhat: IEEE Photon. Technol. Lett. 9 (1997) 881.
• 4) T. Mukaihara, N. Yamanaka, N. Iwai, T. Ishikawa and A. Kasukawa: Electron. Lett. 34 (1998) 882.
• 5) E. Höfling, R. Werner, F. Schäfer, J. P. Reithmaier and A. Forchel: Electron. Lett. 35 (1999) 154.

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  作製 ,  分布Bragg反射器 ,  しきい値 ,  GaInAsP ,  レーザ