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J-GLOBAL ID：200902146861847078   整理番号：00A0455569

マグネトロンスパッタ法により作製したZnS膜の構造と組成

Structure and Composition of ZnS Films Prepared by Radio-Frequency Magnetron Sputtering.

著者 (6件)： 菅原智明 (北海道工技セ) ,  下野功 (北海道工技セ) ,  福田永 (室蘭工大) ,  西野元一 (北海道職業能力開発短大) ,  吉野正樹 (北海道職業能力開発短大) ,  野村滋 (室蘭工大)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 120-A  号： 4  ページ： 470-477  発行年： 2000年04月01日 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタ法を用い,成膜時のArガス圧力,タ...

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• XIAN, H. Quantitative Analyses and Crystallographic Studies of ZnS:Mn Thin Films Prepared by R.F.Magnetron Reactive Sputtering. Thin Solid Films. 1994, 248, 2, 193-198
• BLACKMORE, J. M. The Structure of ZnS Thin Films Deposited by R.F.Sputtering. Thin Solid Films. 1991, 199, 2, 321-334
• WANG, C. W. The Relation between Luminous Properties and Oxygen Content in ZnS:TbOF Thin-film Electroluminescent Devices Fabricated by Radio-frequency Magnetron Sputtering Method. IEEE Trns.Electron devices. 1998, 45, 4, 757-762
• KAWAKAMI, Y. Characterization of Epitaxal ZnS Films Fabricated by Sputtering in Controlled H_2S Vapor. Surface Science. 1986, 168, 1/3, 571-576
• McCLEAN, I. P. Low Temperature Epitaxial Deposition of ZnS onto (100)Si by R.F.Magnetron Sputtering and Molecular Beam Epitaxy. J.Crystal Growth. 1994, 143, 3/4, 172-175

タイトルに関連する用語 (4件)： マグネトロンスパッタ法 ,  作製 ,  ZnS ,  組成