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J-GLOBAL ID：200902158778113591   整理番号：01A0620247

低圧におけるバイアス促進核形成法を利用した核形成の特性

Characteristics of Nucleation Using the Bias-Enhanced Nucleation Method at Low Pressure.

著者 (4件)： KUDO K (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  AOKI K (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  TOYOFUKU M (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  OGI S (Kitakyushu National Coll. Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4A  ページ： 2511-2517  発行年： 2001年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧下の核形成特性を分析し,一様で高密度の広面積核形成が実現...

シソーラス用語： *核形成 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (9件)：

• 1) S. Yugo, T. Kanai and T. Muto: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 1036.
• 2) S. Barret, S. Saada, I. Dieguez and E. Bauer Grosse: J. Appl. Phys. 84 (1998) 1870.
• 3) X. Li, Y. Hayashi and S. Nishino: Thin Solid Films 308-309 (1997) 163.
• 4) S. T. Lee, Y. W. Lam, Z. Lin, Y. Chen and Q. Chen: Phys. Rev. B 55 (1997) 15937.
• 5) Q. Chen, Y. Chen, J. Yang and Z. Lin: Thin Solid Films 274 (1996) 160.

タイトルに関連する用語 (4件)： 低圧 ,  バイアス ,  促進 ,  核形成