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J-GLOBAL ID：200902159886921757   整理番号：02A0642878

KrFエキシマレーザによる半導体製造のための,ラインビームを用いたシリコンウエハのドライクリーニング法

Dry Cleaning Technology of Silicon Wafer with a Line Beam for Semiconductor Fabrication by KrF Excimer Laser.

著者 (4件)： KIM D-J (Hantech Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  KIM Y-K (Hantech Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  RYU J-K (Hantech Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  KIM H-J (Hantech Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 7A  ページ： 4563-4570  発行年： 2002年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンウエハ上の粒子およびフォトレジストを,クリーンルーム...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： SEM【電顕】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (20件)：

• 1) G. Vereecke: J. Appl. Phys. 85 (1999) 3837.
• 2) L. Layden and D. Wadlow: J. Vac. Sci. & Technol. A <B>8</B> (1990) 3881.
• 3) R. Sherman, J. Grob and W. Whitlock: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>9</B> (1991) 1970.
• 4) T. R. Yew and R. Reif: J. Appl. Phys. 68 (1990) 4681.
• 5) M. Delfino, B. C. Chung, W. Tsai, S. Salimian, D. P. Favreau and S. M. Merchant: J. Appl. Phys. 72 (1992) 3718.

タイトルに関連する用語 (5件)： KrFエキシマレーザ ,  半導体製造 ,  ビーム ,  シリコンウエハ ,  ドライクリーニング