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J-GLOBAL ID：200902162767857316   整理番号：00A0903391

Cl₂電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを利用したα型Ta膜のエッチング特性

Etching Characteristics of α-Type Ta Film Using Cl₂ Electron Cyclotron Resonance (ECR) Plasma.

著者 (5件)： TAKAHASHI C (NTT Telecommunications Energy Lab., Kanagawa, JPN) ,  TSUCHIZAWA T (NTT Telecommunications Energy Lab., Kanagawa, JPN) ,  NISHIMURA H (NTT Telecommunications Energy Lab., Kanagawa, JPN) ,  ONO T (NTT Telecommunications Energy Lab., Kanagawa, JPN) ,  ODA M (NTT Telecommunications Energy Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 9A/B  ページ： L945-L947  発行年： 2000年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直パターン形成のため,Cl₂ ECR...

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,...

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分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (12件)：

• ODA, M. J.Vac.Sci & Technol. 1999, B17, 3402
• ODA, M. J.Vac.Sci.& Technol. 1993, B11, 37
• NISHIMURA, H. J.Vac.Sci.& Technol. 1997, A15, 707
• WESTWOOD, W. D. Tantalum Thin Films. 1975, 76
• TSUCHIZAWA, T. Abstr.Book, Int.Conf.Micro-and Nano-Enngineering 99. 1999, 33

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  プラズマ ,  型 ,  Ta膜 ,  エッチング特性