室温でのオゾンガスによる超薄SiO<sub>2</sub>の一層ごとの成長の原子間力顕微鏡観察

MAEDA T; KUROKAWA A; SAKAMOTO K; ANDO A; ITOH H; ICHIMURA S

文献

J-GLOBAL ID：200902164684946557 整理番号：01A0489804

室温でのオゾンガスによる超薄SiO₂の一層ごとの成長の原子間力顕微鏡観察

Atomic force microscopy observation of layer-by-layer growth of ultrathin silicon dioxide by ozone gas at room temperature.

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資料名：
巻： 19 号： 2 ページ： 589-592 発行年： 2001年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

室温でオゾンガスにより能動酸化したシリコン膜上の原子構造を原...

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酸化物薄膜 , その他の無触媒反応

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室温でのオゾンガスによる超薄SiO2の一層ごとの成長の原子間力顕微鏡観察

室温でのオゾンガスによる超薄SiO₂の一層ごとの成長の原子間力顕微鏡観察