Siドット/熱成長SiO<sub>2</sub>界面近傍の電場の集中

文献

J-GLOBAL ID：200902169404407038 整理番号：01A0699965

Siドット/熱成長SiO₂界面近傍の電場の集中

Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO₂ Interface.

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資料名：
巻： 40 号： 3B ページ： 1866-1869 発行年： 2001年03月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

ゲートSiO₂中に高密度のSiドットを...

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金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (16件)：

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