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J-GLOBAL ID：200902169404407038   整理番号：01A0699965

Siドット/熱成長SiO₂界面近傍の電場の集中

Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO₂ Interface.

著者 (4件)： ISHIKAWA Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KOSUGI M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TSUCHIYA T (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  TABE M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 3B  ページ： 1866-1869  発行年： 2001年03月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲートSiO₂中に高密度のSiドットを...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 電場集中

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (16件)：

• 1) S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbe and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
• 2) A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose: Ext. Abst. of 1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Business Center for Academic Societies, Tokyo, 1998) p. 174.
• 3) T. Ifuku, M. Otobe, A. Itoh and S. Oda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 4031.
• 4) M. Tabe, M. Kumezawa, T. Yamamoto, S. Makita, T. Yamaguchi and Y. Ishikawa: Appl. Surf. Sci. 142 (1999) 553.
• 5) Y. Ishikawa, M. Kosugi, M. Kumezawa, T. Tsuchiya and M. Tabe: Thin Solid Films 369 (2000) 69.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドット ,  成長 ,  SiO2 ,  界面近傍 ,  電場