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J-GLOBAL ID：200902173929632820   整理番号：02A0877081

テトラエチルオルトシリカートとO₂ガスを用いたプラズマ促進化学蒸着と光酸化との組合せによるポリSi薄膜トランジスタ用の低温ゲート絶縁膜

Low-Temperature Gate Insulator for Poly-Si Thin Film Transistors by Combination of Photo-Oxidation and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and O₂ Gases.

著者 (5件)： NAKATA Y (SHARP Corp., Tenri-shi, JPN) ,  OKAMOTO T (SHARP Corp., Tenri-shi, JPN) ,  HAMADA T (SHARP Corp., Tenri-shi, JPN) ,  ITOGA T (SHARP Corp., Tenri-shi, JPN) ,  ISHII Y (SHARP Corp., Tenri-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E85-C  号： 11  ページ： 1849-1853  発行年： 2002年11月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリSi薄膜トランジスタ用のSiO₂ゲ...

シソーラス用語： 酸素 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： テトラエチルオルトシリカート

引用文献 (8件)：

• FUYUKI, T. Single crystalline Simetal/oxide/semiconductor field-effect transistor using highquality gate SiO_2 deposited at 300°C by remote plasma technique. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 440-443
• UENO, T. Low-temperature and low-activation-energy process for the gate oxidation of Si substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L327-L329
• HIRAYAMA, M. Low-temperature growth of high-integrity silicon oxide films by oxigen radical generated in high-density krypton plasma. IEDM Tech. Dig. 1999, 249
• BOYD, I. W. Thin Solid Films. 1981, 83, L173
• NAYAR, V. Appl. Surf. Sci. 1989, 36, 134

タイトルに関連する用語 (9件)： テトラエチルオルトシリカート ,  O2 ,  プラズマ促進化学蒸着 ,  光酸化 ,  組合せ ,  ポリSi ,  薄膜トランジスタ ,  低温 ,  ゲート絶縁膜