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J-GLOBAL ID:200902182782202866   整理番号:01A0138880

有機金属化学気相成長法により成長させたGaInNAs量子井戸レーザの低しきい値電流密度動作

Low threshold current density operation of GaInNAs quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition.
著者 (7件):
資料名:
巻: 36  号: 21  ページ: 1776-1777  発行年: 2000年10月12日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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1.25μmで発光する標記レーザについて報告した。50μm幅...
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分類 (2件):
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半導体レーザ  ,  固体デバイス製造技術一般 
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