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J-GLOBAL ID：200902182782202866   整理番号：01A0138880

有機金属化学気相成長法により成長させたGaInNAs量子井戸レーザの低しきい値電流密度動作

Low threshold current density operation of GaInNAs quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition.

著者 (7件)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SCHLENKER D (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 36  号： 21  ページ： 1776-1777  発行年： 2000年10月12日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.25μmで発光する標記レーザについて報告した。50μm幅...

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： VCSEL ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属化学気相成長法 ,  成長 ,  GaInNAs ,  量子井戸レーザ ,  しきい値電流密度