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J-GLOBAL ID：200902193332594812   整理番号：99A0518448

有機金属気相エピタクシーで(GaN/AlN)バッファを持つ(0001)6H-SiC上に成長させたAlN層中の引っ張り歪

Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy on (0001) 6H-SiC with (GaN/AlN) Buffer.

著者 (6件)： KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKADA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBATA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 5B  ページ： L551-L553  発行年： 1999年05月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーで(GaN/AlN)バッファを持つ(...

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• KUGA, Y. Jpn.J.Appl.Phys. 1995, 34, 4085
• KURAMATA, A. Jpn.J.Appl.Phys. 1997, 36, 1130
• TAKEUCHI, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1997, 36, 382
• WETZEL, C. MRS Int.J.Nitride Semicond.Res. 1998, 3, 31
• HONDA, T. J.Cryst.Growth. 1998, 189/190, 644

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  AlN ,  バッファ ,  6H-SiC ,  成長 ,  引っ張り歪