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J-GLOBAL ID：200902194176896940   整理番号：00A1038264

21世紀を拓く薄膜結晶成長 CVD Si_1-xGe_xエピタキシャル成長とドーピング制御

Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium. CVD Si_1-xGe_x Epitaxial Growth and Its Doping Control.

著者 (3件)： 室田淳一 (東北大 電通研) ,  桜庭政夫 (東北大 電通研) ,  松浦孝 (東北大 電通研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 27  号： 4  ページ： 171-178  発行年： 2000年10月25日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(100)上に,高いGe比率で高品質のSi/Si<sub...

シソーラス用語： 化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• 1) MEYERSON B. S. Appl. Phys. Lett.. (1986) vol.48, p.797.
• 2) MUROTA J. Appl. Phys. Lett.. (1989) vol.54, p.1007.
• 3) MUROTA J. J.Phys.IV France. (1991) vol.1, p.C2-795.
• 4) AGNELLO P. D. J. Electrochem. Soc.. (1992) vol.139, p.1140.
• 5) BEAN J. C. J. Vac. Sci. Technol.. (1984) vol.A2, p.436.

タイトルに関連する用語 (5件)： 21世紀 ,  薄膜結晶成長 ,  CVD ,  エピタキシャル成長 ,  ドーピング