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J-GLOBAL ID：200902203839758030   整理番号：09A0713395

オゾン支援スパッタリングで作製した正方晶ZrO₂ゲート誘電体の誘電性の向上

Improved Dielectric Properties of Tetragonal ZrO₂ Gate Dielectric Fabricated by Ozone-Assisted Sputtering

著者 (4件)： ZHOU Ying (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  INOSAKA Naoya (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SASAKI Kimihiro (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KUMEDA Minoru (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 6,Issue 1  ページ： 060208.1-060208.3  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶ZrO₂薄膜を種々の成長温度でオゾン支援スパッタリングにより作製し,その構造と誘電性を調べた。700°Cで堆積させたエピタキシャル正方晶ZrO₂膜は38の高い誘電率を示した。また,エピタキシャル膜の界面特性が向上した。その結果,良好な誘電特性を示し,フラットバンドシフトとループヒステリシスが無視でき,容量電圧特性曲線の周波数分散が小さく,漏れ電流が少なく,次世代のCMOS素子の極めて有望な材料が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ジルコニウム ,  スパッタリング ,  正方晶系 ,  *酸化膜 ,  誘電性 ,  誘電率 ,  エピタクシー ,  容量電圧特性 ,  漏れ電流 ,  CMOS構造 ,  オゾン ,  *ゲート絶縁膜 ,  *化成皮膜 ,  MOS構造
準シソーラス用語： *ゲート誘電体

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

引用文献 (20件)：

• G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89(2001) 5243.
• X. Zhao and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 65(2002) 075105.
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• R. I. Hegde, D. H. Triyoso, S. B. Samavedam, and B. E. White, Jr.: J. Appl. Phys. 101(2007) 074113.
• P. Tsipas, S. N. Volkos, A. Sotiropoulos, S. F. Galata, G. Mavrou, D. Tsoutsou, Y. Panayiotatos, A. Dimoulas, C. Marchiori, and J. Fompeyrine: Appl. Phys. Lett. 93(2008) 082904.

タイトルに関連する用語 (8件)： オゾン ,  支援 ,  スパッタリング ,  作製 ,  正方晶 ,  ZrO2 ,  ゲート誘電体 ,  誘電性