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J-GLOBAL ID：200902204789175094   整理番号：04A0085648

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるSi基板上のZnOの成長

Growth of ZnO on Si Substrate by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

著者 (4件)： KAWAMOTO N (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TATSUMI T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HORIKOSHI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 12  ページ： 7209-7212  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素プラズマを用いて分子ビームエピタクシーにより,Si(11...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• 1) M. A. L. Johnson, S. Fujita, W. H. Rowland, Jr., W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr. and J. F. Schetzina: J. Electron. Mater. 25 (1996) 855.
• 2) Y. Chen, D. M. Bagnall, Z. Zhu, T. Sekiuchi, K.-T. Park, K. Hiraga, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T. Goto: J. Cryst. Growth 181 (1997) 165.
• 3) A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2635.
• 4) R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, R. P. Shrama, T. Venkatesan, M. He, X. Tang, J. B. Halpern, M. G. Spencer, Y. X. Li, L. G. Salamanca-Riba, A. A. Iliadis and K. A. Jones: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 348.
• 5) J. H. Choi, H. Tabata and T. Kawai: J. Cryst. Growth 226 (2001) 493.

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  Si基板 ,  ZnO ,  成長