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J-GLOBAL ID：200902205490425414   整理番号：08A0099789

Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果

Effect of Nitrogen Inclusion into Hf-Al-O Layer on Device Properties of Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Hf-Al-O/Si Diodes

著者 (6件)： 堀内健史 (産業技術総合研) ,  堀内健史 (金沢工大) ,  大橋憲太郎 (金沢工大) ,  高橋光恵 (産業技術総合研) ,  酒井滋樹 (産業技術総合研) ,  酒井滋樹 (金沢工大)
資料名： 粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)
巻： 55  号： 1  ページ： 17-20  発行年： 2008年01月15日 
JST資料番号： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 金属-強誘電体-絶縁体-半導体構造の電界効果トランジスタ(M...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： SBT ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• TARUI, Y. Application of The Ferroelectric Materials to ULSI Memories. Appl. Surf. Sci. 1997, 113/114, 656-663
• ISHIWARA, H. Eds. Recent Progress in Ferroelectric Memories. 2004
• OKUYAMA, M. Eds. Ferroelectric Thin Films Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. 2005
• SAKAI, S. Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Memory FET with Long Retention and High Endurance. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 369-371
• SAKAI, S. Long-Retention Ferroelectric-Gate FET with a (HfO_2)_x(Al_2O_3)_<1-x> Buffer-Insulating Layer for 1T FeRAM. IEDM Tech. Dig., 2004. 2004, 915

タイトルに関連する用語 (8件)： Pt ,  HF ,  Al ,  Si ,  ダイオード ,  素子特性 ,  O層 ,  窒素