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J-GLOBAL ID：200902205498754930   整理番号：04A0537651

ガスソース分子ビームエピタクシーによって成長させた引張歪を有するSi_1-yC_y層の評価と素子への応用

Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_1-yC_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： ABE K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YABE C (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  WATAHIKI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMADA A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 6A  ページ： 3281-3284  発行年： 2004年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガスソース分子ビームエピタクシー(GS-MBE)によって引張...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• 1) C. Smith and M. E. Jones: Superlat. & Microstruct. <B>4</B> (1988) 391.
• 2) M. Ershov and V. Ryzhii: J. Appl. Phys. 76 (1994) 1924.
• 3) K. Brunner, K. Eberl and W. Winter: Phys. Rev. Lett. 76 (1996) 303.
• 4) K. Kim and H. J. Osten: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2702.
• 5) K. Abe, S. Yagi, T. Okabayashi, A. Yamada and M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 4440.

タイトルに関連する用語 (5件)： ガスソース分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  引張歪 ,  評価 ,  応用