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J-GLOBAL ID：200902192370931435   整理番号：01A0772371

非常に低い温度における光およびプラズマCVDで成長させた引張り歪をもつSi_1-yC_y合金の評価

Characterization of Tensile Strained Si_1-yC_y Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature.

著者 (5件)： ABE K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAGI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OKABAYASHI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMADA A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 7  ページ： 4440-4444  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200°Cの低い基板温度,C₂H<sub...

シソーラス用語： *光CVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (2件)： アセチレン ,  メタン

引用文献 (16件)：

• 1) H. J. Osten, D. Knoll, B. Heinemann and P. Schley: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 1910.
• 2) L. D. Lanzerotti, J. C. Sturm, E. Stach, R. Hull, T. Buyuklimanli and C. Magee: IEDM Tech. Dig., 1996, 249.
• 3) E. Quinones, S. K. Ray, K. C. Liu and S. Banerjee: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 338.
• 4) K. Brunner, W. Winter, K. Eberl, N. Y. Jin-Phillipp and F. Phillipp: J. Cryst. Growth 175/176 (1997) 451.
• 5) P. Boucaud, C. Francis, A. Larre, F. H. Julien, J.-M. Lourtioz, D. Bouchier, S. Bodnar and L. Regolini: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 70.

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマCVD ,  成長 ,  引張り歪 ,  評価