文献

J-GLOBAL ID：200902206871350999   整理番号：05A0541053

超低溶解酸素水中のSi(111)基板上のステップエッジでの単原子Cu列の選択的成長

Selective Growth of Monoatomic Cu Rows at Step Edges on Si(111) Substrates in Ultralow-Dissolved-Oxygen Water

著者 (6件)： TOKUDA Norio (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  NISHIZAWA Masayasu (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  MIKI Kazushi (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  HASUNUMA Ryu (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 16-19  ページ： L613-L615  発行年： 2005年05月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微斜面Si(111)基板上の原子ステップエッジに沿って高アス...

シソーラス用語： *電気化学反応 ,...

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分類 (1件)： 金属の結晶成長  (BK13030M)

引用文献 (8件)：

• 1) R. S. Becker, J. A. Golovchenko and B. S. Swartzentruber: Nature 325 (1987) 419.
• 2) K. Hara and I. Ohdomari: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1333.
• 3) A. Imanishi, K. Morisawa and Y. Nakato: Electrochem. & Solid-State Lett. <B>4</B> (2001) C 69.
• 4) N. Tokuda, D. Hojo, S. Yamasaki, K. Miki and K. Yamabe: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L1210.
• 5) H. Fukidome and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1085.

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶解酸素 ,  水中 ,  Si ,  エッジ ,  単原子 ,  Cu ,  選択的成長